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Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC - Samsung
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos Peso y dimensiones Ancho: 80,2 mm Profundidad: 8,88 mm Altura: 80,2 mm Peso: 30 g Control de energía Voltaje de operación: 3,3 V Consumo de energía (lectura): 9 W Consumo de energía (escritura): 8,2 W Consumo eléctrico promedio (lectura): 9 W Consumo eléctrico promedio (escritura): 8,2 W Consumo de energía (espera): 0,007 W Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5,7 mW Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Golpes en funcionamiento: 1500 G Empaquetado Tipo de embalaje: Caja Otras características Periodo de garantía: 5 año(s) Características SDD, capacidad: 4 TB Factor de forma de disco SSD: M.2 Interfaz: PCI Express 5.0 NVMe: Si Tipo de memoria: V-NAND TLC Componente para: PC/Consola de videojuegos Encriptación de hardware: Si Versión NVMe: 2.0 Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Velocidad de lectura: 14800 MB/s Velocidad de escritura: 13400 MB/s Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 Función DevSleep: Si Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 hMostrar más
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Detalles del producto
- Marcas
- Samsung
- GTIN
- 08806095811659