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Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC - Samsung
Une vitesse spectaculaire tous les jours Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés. Restez au frais même avec des performances fulgurantes Une puissance constante, des performances plus efficaces. Grâce au contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus a une performance par watt de 73% supérieure au modèle précédent. Maxi stockage. Maxi vitesse. Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To. Logiciel Samsung Magician Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour. Donner vie aux innovations Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation. Performance Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent. Efficacité énergétique La performance par watt est améliorée de 73% comparée au modèle précédent, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique. Polyvalence Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0. Poids et dimensions Largeur: 80,2 mm Profondeur: 2,38 mm Hauteur: 80,2 mm Poids: 9 g Puissance Tension de fonctionnement: 3,3 V Consommation électrique (Lecture): 5,5 W Consommation électrique (Ecriture): 4,8 W Consommation électrique (idle): 0,06 W Consommation électrique DevSlp (mode veille): 5 mW Conditions environnementales Température d'opération: 0 - 70 °C Choc durant le fonctionnement: 1500 G Informations sur l'emballage Largeur du colis: 148 mm Profondeur du colis: 100 mm Hauteur du colis: 22 mm Poids du paquet: 70 g Caractéristiques Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To Facteur de forme SSD: M.2 Interface: PCI Express 4.0 NVMe: Oui Type de mémoire: V-NAND TLC composant pour: PC Le chiffrement matériel: Oui Version NVMe: 2.0 Algorithme de sécurité soutenu: 256-bit AES Taille du SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Vitesse de lecture: 7250 Mo/s Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s Lecture aléatoire (4KB): 1050000 IOPS Écriture aléatoire (4KB): 1400000 IOPS Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif): Oui Support S.M.A.R.T.: Oui Support TRIM: Oui Temps moyen entre pannes: 1500000 hAfficher plus
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- Samsung
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